南方网讯　8月14日，三星半导体公司宣称，它准备批量生产1GB NAND型闪存芯片，从而降低从数码相机到MP3播放机等设备中的闪存成本。

　　三星半导体使用0.12微米处理技术生产出小于100平方钠米的芯片单元，这一技术是去年年底首次推出的，目前东芝和日立也具备该项技术。

 　　三星的32位1GB闪存芯片包含一个位于中央的、可支持1KB选择方案的行译码器，该芯片还使用扩展的2KB页面规格并具有128KB块擦写功能。该芯片还具备高速读写缓存功能，可用于连续页面的编程，比以前的NAND型闪存设备的运行速度提高了70%。芯片读取吞吐量在8个一组状态下为每秒16MB，在16个一组配置下为每秒27MB，在1.8伏运转状态下，周期时间为50钠秒。

　　目前，有关产品价格的详细情况三星还未具体透露。（编辑：陈琛）