8月9日，美国总统拜登正式签署《2022芯片与科技法案》。经过数年的博弈，这一将对全球芯片制造产业链产生深远影响的法案靴子落地。尽管从表面上看，法案实施的核心目的是为了增强美国本土半导体产业的竞争力，推动芯片制造产能“回流”，但其更深层的目的，是要限制和削弱中国先进半导体产业的发展，逼迫全球芯片企业在中美之间“二选一”。

　　根据法案条款，未来美国将为本土发展芯片制造及研发的企业提供527亿美元的紧急补充拨款，以及一项大约价值240亿美元的税收抵免，预计将惠及英特尔、美光、台积电、三星等相关企业。然而，一旦接受联邦激励基金，就不能在中国大陆等特定国家或地区建设某些先进半导体的工厂或扩大产能，以十年为期。

　　据业内人士分析，该举措必将重塑全球芯片产业格局；而对中国来说，受法案补贴政策的吸引，原先考虑在中国投资的国际企业，很可能也会转而在美国市场发力，这对于中国半导业产业的产能建设、价值提升、人才招募以及我国在全球半导体产业的话语权都十分不利。

　　目前，台积电在南京建有28纳米、16纳米制程的芯片制造厂，三星在西安拥有存储芯片的制造工厂，SK海力士的近一半产能也在中国。而就在近期，SK海力士已经决定投资220亿美元在美国建厂。

　　更糟糕的是，法案的出台可能会推动CHIP4联盟的组建，加速日本、韩国和中国台湾等形成一个相对封闭的“造芯”小圈子，从而进一步影响中国大陆的半导体产业发展。

　　对此，多名半导体资深人士公开表示，破局的唯一方法只有“加速国产化”。资料显示，目前制造14纳米以下先进制程工艺芯片的设备，我国除在刻蚀机、清洗设备上能实现一定程度的国产替代外，在薄膜设备、离子注入、光刻机、炉管等领域几乎是一片空白，一旦被“卡脖子”，就会严重拖缓AI、超算、通用芯片等需要使用先进工艺的芯片的生产进程。

　　为此，我国可考虑重点加强28纳米及以下先进工艺的布局，尽快补足集成技术等领域的“洞”，推动原材料、元器件等国产设备供应商的发展；与此同时，也不要放弃对28纳米以上“成熟工艺”的投资。数据显示，到2025年，成熟工艺的市场份额仍在50%以上，这对于本土企业意味着广阔的机会。“将28纳米作为100%国产芯片的起点，再聚焦14纳米、12纳米、10纳米……我们可以采用退回策略，用时间换取半导体产业链自主化的空间。”有专家指出。

　　南方日报记者 许隽